Penulis Utama : Sofwan Hidayat
Penulis Tambahan : -
NIM / NIP :
Tahun : 2006
Judul : Sintesis material photovoltaic sio2 - tio2 melalui proses sol-gel dengan pengontrol asetil asetonat
Edisi :
Imprint : Surakarta - FMIPA - 2006
Kolasi :
Sumber : UNS-FMIPA NIM.M0397043
Subyek : PROSES SOL-GEL
Jenis Dokumen : Skripsi
ISSN :
ISBN :
Abstrak :

Telah disintesis semikonduktor, SiO2-TiO2, dengan menggunakan Na2SiO3 dan TiCl4 serta CTABr sebagai prekusor. Tujuan penelitian ini adalah mensintesis dan mengkarakterisasi semikonduktor SiO2-TiO2, kemudian mengkaji pengaruh temperatur kalsinasi terhadap pembentukan semikonduktor SiO2-TiO2, dan mengukur kemampuan material tersebut dalam mengkonversi energi cahaya ke energi listrik. Sintesis dilakukan dengan proses sol gel dengan menggunakan pengompleks asetil asetonat untuk mengatur proses hidrolisis TiCl4. karakterisasi material hasil sintesis meliputi: Karakterisasi komposisi semikonduktor SiO2-TiO2 dengan Spektrometer Difraksi Sinar-X (XRD), Karakterisasi ikatan semikonduktor SiO2-TiO2 dengan Spektoskopi Infra Merah (FTIR), Karakterisasi respon panjang gelombang maksimum dengan Spektroskopi UV-Vis dan sifat fotoelektrokimia semikonduktor SiO2-TiO2.

Hasil penelitian menunjukkan bahwa pada suhu 6000C dihasilkan padatan semikonduktor SiO2-TiO2 paling besar, sebesar 12.6493%. Pada FTIR pembentukan semikonduktur SiO2-TiO2 diindikasikan dengan adanya serapan pada 412,7 cm-1 milik pola serapan rocking mode dari Si-O-Si. Serapan sebesar 617,3 cm-1 merupakan indikasi adanya Ti(IV) yang terkoordinasi secara oktahedral dalam matrik titaniumsilikat, sedangkan pada 929,7 cm-1 dan 1103,2 berturut – turut menandakan adanya pola ikatan dari vibrasi Si-O-Si /Si-O-Ti, dan pola ikatan dari mode streching Si-O asimetris. Pengukuran kisaran respon panjang gelombang lmaks oleh UV-Vis, munculnya pergeseran dari 305 nm dan 309 nm; milik SiO2 dan TiO2; menjadi 398 nm yang merupakan indikasi adanya transisi elektronik yang lebih rendah pada semikonduktor SiO2-TiO2 yang juga penumpukan pola serapan energi gap (Eg) TiO2 anatase yang ekivalen dengan energi sebesar 3,3 eV. Kemampuan material SiO2-TiO2 dalam mengkonversi energi cahaya ke energi listrik (photocurrent) dibuktikan melalui pemaparan semikonduktor hibrid SiO2-TiO2 pada tiga kondisi yaitu: pemaparan pada sinar matahari langsung, pada lampu UV 20 Watt, dan pada keadaan gelap. Hasil menunjukkan bahwa semikonduktor SiO2-TiO2 menghasilkan arus dan voltase yang merupakan indikasi terjadinya efisiensi konversi energi cahaya ke energi listrik. Konversi energi cahaya ke energy listrik, η, untuk kondisi pemaparan sinar matahari dan lampu UV 20 Watt didapat berturut-turut sebesar 3.029 x 10-4 dan 3.960 x 10-4. kemampuan konversi terhadap cahaya matahari ini memungkinkan semikonduktor SiO2-TiO2 dapat diaplikasikan untuk Solar Cell (sel surya).
File Dokumen : Tidak ada file dalam dokumen ini.
File Jurnal : -
Status : Non Public
Pembimbing : 1. Sayekti Wahyuningsih, M.Si.
2. Fitria Rahmawati, M.Si.
Catatan Umum :
Fakultas : Fak. MIPA