Studi sifat elektronik grafena termodifikasi gugus epoksi dan hidroksil serta interaksinya dengan ion K+ telah berhasil dilakukan dengan metode DFTB. Unit sel 4 × 4 × 1 digunakan sebagai basis, sedangkan super sel yang digunakan sebagai sampling diperbesar hingga 40 × 40 × 1. Data yang dianalisis meliputi perubahan DOS, pergeseran level fermi, dan struktur pita elektronik dari setiap orientasi grafena. Berdasarkan hasil penelitian, diketahui dengan adanya gugus epoksi dan gugus hidroksil dapat mengubah sifat elektronik pada grafena yang ditandai dengan pergeseran intensitas DOS dan struktur pita (band structure) yang ditandai dengan meningkatnya intensitas elektronik di sekitar level fermi dan pembukaan pada struktur pita, perubahan Level Fermi menjadi lebih kuat dan interaksi grafena menjadi sebesar -3.1224 eV pada K-grafena epoksi, dan -1.2862 eV pada K-grafena hidroksil.
