Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui optimalisasi lapisan aluminium yang homogen di atas substrat kaca dengan teknik termal evaporator untuk aplikasi kontak pada piranti mikroelektronika seperti sel surya. Posisi sumber aluminium serta jarak antara sumber dan substrat divariasi. Kemudian lapisan aluminium di atas substrat kaca yang diperoleh dikarakterisasi dengan menggunakan mikroskop digital, SEM, Spektrometer UV-VIS, FPP dan XRD. Hasil citra mikroskop digital dan morfologi SEM diperoleh permukaan lapisan aluminium yang paling homogen adalah posisi 1, 2 Al dengan jarak 5 cm. Kurva transmitansi yang diperoleh tidak teratur sebagai fungsi panjang gelombang, hal ini disebabkan karena, terjadi aglomerasi sehingga foton dapat menembus lapisan. Nilai resistivitas paling rendah yaitu 2,4×10^-7 Ω.m untuk posisi 1, 2 Al dengan jarak 5 cm. Selain itu, intensitas hasil XRD pada jarak tersebut mempunyai nilai yang tinggi sebagai ciri bahwa kristalitasnya meningkat.
