Abstrak


Studi penumbuhan lapisan tipis copper phthalocyanine pada indium tin oxide menggunakan metode evaporasi dengan variasi arus


Oleh :
Budhi Arsita Kurniawati - M.0201001 - Fak. MIPA

ABSTRAK Telah dihasilkan lapisan tipis CuPc diatas substrat ITO dengan teknik evaporasi. Pendeposisian lapisan tipis CuPc dilakukan pada arus deposisi 35 A, 40 A dan 45 A. Karakterisasi lapisan tipis CuPc dilakukan dengan menggunakan Scanning Electron Microscopy untuk mengetahui struktur morfologi, kandungan unsur serta ketebalan. Struktur kristal lapisan tipis ditentukan dengan menggunakan X-Ray Diffractometer Shimadzu 6000. Resistansi lapisan tipis ditentukan menggunakan Uji I-V. Lapisan tipis CuPc mempunyai struktur morfologi yang semakin banyak butiran-butiran CuPc yang terdeposisi dan membentuk permukaan yang semakin berkontur sehingga bertambah gelap, kandungan unsur yang terdapat pada CuPc adalah Karbon (C), Nitrogen (N), Oksigen (O) serta Tembaga (Cu). Ketebalan lapisan tipis CuPc yang dihasilkan pada rentang - . Pola difraksi sinar-X lapisan tipis CuPc terdapat pada sudut 2: ; ; dan . Nilai resistansi sebanding dengan arus pendeposisiannya. Semakin besar arus deposisi maka semakin besar pula resistansi Kata kunci : lapisan tipis CuPc, evaporasi, arus deposisi.