Abstrak
Single electron transistor (SET) memiliki potensi tinggi untuk pengembangan teknologi quantum computing dengan konsumsi daya yang rendah. Banyak penelitian yang telah dilakukan untuk menciptakan SET dengan dopan sebagai quantum dot (QD). SET menggunakan konsep kerja dari single electron tunneling dimana elektron menerobos satu persatu melalui tunnel junction berdasarkan coulomb blockade effect. Penelitian ini akan mensimulasikan berbagai konfigurasi dari triple quantum dots single electron transistor (TQD- SET) menggunakan SIMON 2.0 dengan pendekatan eksperimen dari MOSFET dengan dopan QD. Konfigurasi yang digunakan adalah konfigurasi seri, paralel, dan segitiga. Nilai mutual capacitance (Cm) , tunnel junction (TJ), dan suhu dari berbagai konfigurasi TQD-SET akan diubah. Karakteristik I-V pada tegangan source-drain (Vsd) tertentu akan diamati dan dianalisis. Berdasarkan hasil yang sudah dianalisa, dapat disimpulkan bahwa TQD seri memerlukan Vsd yang lebih besar dibandingkan TQD yang dihubung paralel ataupun segitiga. Arus pada TQD paralel cenderung stabil meskipun Cm diubah sedangakan arus pada TQD segitiga sangat dipengaruhi oleh besar Cm. Dengan membandingkan ketiga konfigurasi ini, dapat disimpulkan bahwa TQD paralel memiliki tunneling rate paling tinggi yang disebabkan oleh tingginya probabilitas pergerakan arus melalui tiga dots ketika diberi Vsd.
Kata Kunci : single electron transistor (SET), triple quantum dots (TQD),
single electron tunneling, dopant, SIMON 2.0
