ABSTRAK
Transistor merupakan bagian terpenting dalam perkembangan sistem mikroprosesor. Menurut Hukum Moore, kecepatan mikroprosesor meningkat dua kali lipat setiap dua tahun. Perkembangan mikroprosesor ini sudah bukan lagi mengecilkan ukuran dari transistor, karena pengecilannya telah mencapai batas. Oleh sebab itu dilakukan perkembangan jenis transistor baru, yaitu single electron transistor (SET). Transistor tipe ini menggunakan efek coulomb blockade, sehingga elektron transfer satu persatu. Salah satu simulator yang digunakan untuk SET adalah simulator monte carlo SIMON 2.0. Simulasi digunakan dengan pendekatan secara eksperimen, yaitu meletakkan sensor arus dekat dengan drain dengan melakukan berbagai konfigurasi dari SET, seperti single quantum dot single electron transistor (SQD-SET) dan double quantum dots single electron transistor (DQD-SET). Pada DQD-SET dilakukan dua konfigurasi, yaitu secara seri dan paralel. Beberapa variabel yang dirubah yaitu nilai middle capacitance (CM), tunnel junction (TJ), dan temperatur. Nilai patokan yang diambil adalah 1 aF, sehingga kapasitansi dari CM dan TJ diperkecil serta diperbesar sehingga diperoleh hasil grafik I-V. SQD-SET memiliki satu puncak karena menggunakan satu quantum dot (QD), sedangkan DQD-SET memiliki dua puncak karena menggunakan dua QD. Hasil grafik I-V DQD-SET memperlihatkan pengaruh kapasitansi CM dan TJ pada jarak antar puncak arus. Ketika diperkecil, arus semakin mendekat begitu juga sebaliknya.
Keywords: Single Electron Transistor (SET), Double Quantum Dots Single Electron Transistor (DQD-SET), coulomb blockade, SIMON 2.0
