Metode photoelectrochemical telah berhasil diterapkan dalam pembentukan Porous Silicon (PSi) pada permukaan Si (100) tipe- n. Arus yang digunakan dalam proses photoelectrochemical yaitu 2, 4, 6, 8, dan 10 mA/cm2 menggunakan laser hijau yang disusun secara vertikal selama 10 menit, dengan variasi rasio larutan HF: etanol pada 1:1, 1:3, dan 3:1. Morfologi dan sifat optik PSi diamati menggunakan SEM dan FTIR. Permukaan silikon pada rapat arus 6, 8, dan 10 mA/cm2 terjadi cacat retakan, sedangkan pada 2 dan 4 mA/cm2 terbentuk pori. Ukuran pori meningkat dengan meningkatnya rasio etanol. Hal ini dianggap bahwa laser membantu memproduksi banyak hole pada permukaan silikon sehingga proses pembentukan pori terjadi. Kurva absorbansi dari permukaan PSi memperlihatkan pembentukan dari ikatan Si-H, Si-H2, Si-H3, dan Si-O-Si. Puncak absorbansi meningkat dengan meningkatnya ukuran pori pada PSi. Selain itu, ukuran pori dipengaruhi oleh etanol. Rasio HF: etanol pada 1:3 memiliki ukuran pori yang lebih besar dibandingkan dengan rasio 1:1 dan 3:1. Etanol diduga dapat mengurangi tegangan permukaan silikon sehingga banyak ion F- masuk kedalam struktur silikon.
