Porous Silicon (PSi) pada wafer silikon tipe-n dengan orientasi (100) telah berhasil dibuat dengan metode fotoelektrokimia berbantuan energi laser yang berbeda. Laser yang digunakan memiliki energi 1,91 eV (merah); 2,33 eV (hijau); dan 3,06 eV (ungu). Permukaan silikon dianodisasi dalam larutan HF (40%) dan ethanol (96%) dengan perbandingan 1:3 pada rapat arus 4 mA/cm2 selama 10 menit di bawah penyinaran laser. Morfologi pori diamati menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM) dengan distribusi terbanyak pada ukuran pori 2,130; 3,335; dan 1,078 nm, untuk sampel PSi dengan laser merah, hijau, dan ungu secara berurutan. Pola X-Ray Diffraction (XRD) dari PSi ditunjukkan puncak pada sudut difraksi 33,14° dan 69,47°, yang berkaitan dengan bidang (211) dan (422). Osilasi spektrum reflektansi pada PSi dengan laser merah dan hijau menunjukkan telah terbentuk pori pada sampel. Energi celah pita dari PSi berkisar 1,71 – 2,38 eV. Energi celah pita meningkat seiring dengan meningkatnya ukuran pori. Fourier Transform Infrared Spectroscope (FTIR) pada sampel PSi terkonfirmasi ikatan kimia pada permukaan yaitu, Si-Si, Si-H, Si-H2, Si-O-Si, C=O.