Simulasi mikromagnetik dilakukan untuk mempelajari ketergantungan parameter magnetik terhadap medan reversal, Hrev pada thermally assisted magnetization reversal (TAMR). Penelitian dilakukan dengan micromagnetic simulation dengan menyelesaikan persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) untuk 50 kali keadaan yang berbeda menggunakan badan nanodot beranisotropi tegak lurus dengan ukuran 505020 nm3 digunakan untuk sel memori magnetik di dalam magnetic random access memory (MRAM). Nilai medan reversal dipelajari dengan parameter fisika waktu simulasi, konstanta anisotropi, dan faktor redaman secara terpisah. Medan reversal diperoleh berbanding terbalik dengan parameter waktu simulasi dimana semakin tinggi waktu simulasi maka medan reversal yang diperlukan semakin kecil. Medan reversal juga berbanding terbalik dengan konstanta anisotropi dimana semakin tinggi nilai dari konstanta anisotropi maka semakin kecil medan reversal. Pada kenaikan faktor redaman diperoleh bahwa kenaikan faktor redaman berbanding terbalik dengan medan  reversal yang diperlukan.hasil ini dikonfirmasi dengan nilai energy barrier,?E yang berbanding lurus dengan medan reversal.