Perkembangan teknologi semikonduktor mendorong pencarian material alternatif yang mampu mengatasi keterbatasan silikon konvensional. Salah satu kandidat yang menjanjikan adalah nanopartikel karbon (CNP), yang memiliki sifat listrik dan mekanik unggul. Penelitian ini bertujuan untuk membuat dan mengkarakterisasi transistor efek medan berbasis CNP (CNP-FET) dalam skala laboratorium, serta menganalisis pengaruh variasi arus pembentukan CNP dan penggunaan lapisan isolator SiO₂ pada substrat. CNP disintesis menggunakan metode arc discharge dengan variasi arus 40A, 70A, dan 100A serta diaplikasikan pada wafer silikon dengan dan tanpa lapisan SiO2. Proses fabrikasi dilakukan melalui metode drop-casting untuk pelapisan kanal dan screen-printing untuk pembuatan elektroda pada substrat silicon wafer. Pengujian mencakup karakterisasi resistansi, resistivitas, dan kurva I–V dari perangkat yang telah dibuat.Hasil menunjukkan bahwa perangkat CNP-FET berhasil difabrikasi dan menampilkan karakteristik dasar transistor, meskipun belum ideal akibat keterbatasan distribusi kanal dan metode fabrikasi sederhana. Substrat tanpa lapisan oksida menunjukkan konduktivitas yang lebih baik, sedangkan keberadaan SiO₂ meningkatkan resistansi karena hambatan tambahan dan cacat antarmuka. Dari ketiga variasi arus pembentukan, CNP 40 A menunjukkan performa terbaik dengan nilai resistansi 30,4 mΩ, resistivitas 5,45 mΩ·cm, dan resistansi lembar 137,4 mΩ/◻. Karakteristik I–V menunjukkan adanya kontrol gate pada beberapa variasi, namun juga ditemukan fenomena seperti kink effect dan ketidakteraturan arus akibat efek trapping dan ketidakhomogenan kanal.