Penelitian ini bertujuan untuk mengkaji pengaruh carbon nanoparticles (CNP) terhadap kinerja silicon field effect transistor (FET). Dalam era miniaturisasi perangkat elektronik, material berbasis karbon menawarkan potensi besar dalam meningkatkan konduktivitas dan performa perangkat semikonduktor. CNP disintesis menggunakan metode submerged arc discharge dengan media etanol 10?n variasi arus 40 A, 70 A, dan 100 A. Karakterisasi morfologi menggunakan transmission electron microscopy (TEM) menunjukkan terbentuknya struktur carbon nano onion (CNO) dan carbon nanotube (CNT). CNP kemudian diaplikasikan pada silicon wafer dengan dan tanpa lapisan SiO2 untuk dianalisis karakteristik kelistrikan berupa resistance, resistivity, sheet resistance, serta I-V characteristics. Hasil penelitian menunjukkan bahwa penambahan CNP secara signifikan meningkatkan konduktivitas silicon wafer, terutama pada sampel tanpa lapisan SiO2 dengan CNP sintesis arus 40 A. Sebaliknya, adanya lapisan SiO2 menyebabkan peningkatan resistansi secara signifikan, namun tetap menunjukkan peningkatan performa setelah penambahan CNP. Penelitian ini membuktikan bahwa CNP mampu memperbaiki jalur konduktif pada silicon FET dan berpotensi diaplikasikan pada pengembangan perangkat elektronik masa depan.