Studi penumbuhan lapisan tipis copper phthalocyanine pada indium tin oxide menggunakan metode evaporasi dengan variasi arus

Kurniawati, Budhi Arsita

× ABSTRAK Telah dihasilkan lapisan tipis CuPc diatas substrat ITO dengan teknik evaporasi. Pendeposisian lapisan tipis CuPc dilakukan pada arus deposisi 35 A, 40 A dan 45 A. Karakterisasi lapisan tipis CuPc dilakukan dengan menggunakan Scanning Electron Microscopy untuk mengetahui struktur morfologi, kandungan unsur serta ketebalan. Struktur kristal lapisan tipis ditentukan dengan menggunakan X-Ray Diffractometer Shimadzu 6000. Resistansi lapisan tipis ditentukan menggunakan Uji I-V. Lapisan tipis CuPc mempunyai struktur morfologi yang semakin banyak butiran-butiran CuPc yang terdeposisi dan membentuk permukaan yang semakin berkontur sehingga bertambah gelap, kandungan unsur yang terdapat pada CuPc adalah Karbon (C), Nitrogen (N), Oksigen (O) serta Tembaga (Cu). Ketebalan lapisan tipis CuPc yang dihasilkan pada rentang - . Pola difraksi sinar-X lapisan tipis CuPc terdapat pada sudut 2: ; ; dan . Nilai resistansi sebanding dengan arus pendeposisiannya. Semakin besar arus deposisi maka semakin besar pula resistansi Kata kunci : lapisan tipis CuPc, evaporasi, arus deposisi.

×

Penulis Utama	:	Budhi Arsita Kurniawati
Penulis Tambahan	:	-
NIM / NIP	:	M0201001
Tahun	:	2007
Judul	:	Studi penumbuhan lapisan tipis copper phthalocyanine pada indium tin oxide menggunakan metode evaporasi dengan variasi arus
Edisi	:
Imprint	:	Surakarta - FMIPA - 2007
Program Studi	:	S-1 Fisika
Kolasi	:
Sumber	:	UNS-FMIPA Jur. Fisika- M.0201001-2007
Kata Kunci	:
Jenis Dokumen	:	Skripsi
ISSN	:
ISBN	:
Link DOI / Jurnal	:	-
Status	:	Public
Pembimbing	:	1. Fahru Nurosyid, S.Si., M.Si 2. Agus Supriyanto, S.Si, M.Si
Penguji	:
Catatan Umum	:	3430/2007
Fakultas	:	Fak. MIPA

×

File	:	Harus menjadi member dan login terlebih dahulu untuk bisa download.