ABSTRAK 

Thermally assisted magnetization reversal dengan skema double pulse writing telah dilakukan dengan menggunakan simulasi mikromagnetik pada bahan magnetik dengan anisotropi tegaklurus. Simulasi ini dilakukan dengan menyelesaikan persamaan Landau-Liftshitz-Gilbert (LLG) dengan asumsi nanopartikel CoPtCr magnetik sebagai storage cell memory MRAM. Hasil simulasi menunjukkan bahwa untuk variasi suhu penulisan, magnetisasi mulai searah dengan medan eksternal sebesar H = 2,0 kOe, saat suhu penulisan sebesar TW = 95,2%TCdan meningkat terus hingga hingga 85% saat TW = 97,86%TC.  Sehingga keadaan ini dianggap sebagai batas limit stochastik untuk TAMR pada penelitian ini. Sedangkan untuk variasi waktu penulisan tw diperoleh bahwa probabilitas switching step like diperoleh saat tw=100 ps dan meningkat secara gradual dengan peningkatan medan magnet H untuk variasi tw>100 ps.  Perubahan probabilitas switching step like juga diperoleh saat ketebalan 5 nm dan secara gadrual meningkat dengan kenaikan medan untuk ketebalan 7,5 sampai dengan 40 nm.   

Kata Kunci: TAMR, anisotropi tegak lurus, mikromagnetik, MRAM