Abstrak

Single electron transistor (SET) memiliki potensi tinggi untuk pengembangan  teknologi  quantum  computing  dengan  konsumsi  daya  yang rendah. Banyak penelitian yang telah dilakukan untuk menciptakan SET dengan dopan sebagai quantum dot (QD). SET menggunakan konsep kerja dari single electron  tunneling  dimana  elektron  menerobos  satu  persatu  melalui  tunnel junction berdasarkan coulomb blockade effect. Penelitian ini akan mensimulasikan berbagai konfigurasi dari triple quantum dots single electron transistor  (TQD- SET) menggunakan SIMON 2.0 dengan pendekatan eksperimen dari MOSFET dengan dopan QD. Konfigurasi yang digunakan adalah konfigurasi seri, paralel, dan segitiga. Nilai mutual capacitance (Cm) , tunnel junction (TJ), dan suhu dari berbagai  konfigurasi  TQD-SET akan diubah.  Karakteristik  I-V pada  tegangan source-drain  (Vsd) tertentu akan diamati dan dianalisis. Berdasarkan hasil yang sudah dianalisa, dapat disimpulkan bahwa TQD seri memerlukan Vsd  yang lebih besar dibandingkan TQD yang dihubung paralel ataupun segitiga. Arus pada TQD paralel cenderung stabil meskipun Cm diubah sedangakan arus pada TQD segitiga sangat dipengaruhi oleh besar Cm. Dengan membandingkan ketiga konfigurasi ini, dapat disimpulkan bahwa TQD paralel memiliki tunneling rate paling tinggi yang disebabkan oleh tingginya probabilitas pergerakan arus melalui tiga dots ketika diberi Vsd.

Kata Kunci : single electron transistor  (SET), triple quantum dots (TQD),
single electron tunneling, dopant, SIMON 2.0