Pertumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 di Atas Waafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering dan Karakterisasi Sifat Struktur dan Morfologi Permukaannya
Penulis Utama
:
Ninik Setyowati
NIM / NIP
:
M0200008
×
-
×
Penulis Utama
:
Ninik Setyowati
Penulis Tambahan
:
-
NIM / NIP
:
M0200008
Tahun
:
2005
Judul
:
Pertumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 di Atas Waafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering dan Karakterisasi Sifat Struktur dan Morfologi Permukaannya
Edisi
:
Imprint
:
Surakarta - FMIPA - 2005
Program Studi
:
S-1 Fisika
Kolasi
:
Sumber
:
UNS-FMIPA Jur. Fisika-M0200008-2005
Kata Kunci
:
Jenis Dokumen
:
Skripsi
ISSN
:
ISBN
:
Link DOI / Jurnal
:
-
Status
:
Public
Pembimbing
:
1. Feri Adriyanto, M.Si 2. Ir. Ari Handono Ramelan, M.Sc, Ph. D
Penguji
:
Catatan Umum
:
Fakultas
:
Fak. MIPA
×
File
:
Harus menjadi member dan login terlebih dahulu untuk bisa download.