ABSTRAK

Simulasi mikromagnetik telah dilakukan untuk mempelajari ketergantungan medan reversal, Hrev terhadap energi barrier, ?E pada thermally assisted magnetization reversal (TAMR). Penelitian dilakukan dengan micromagnetic simulation dengan menyelesaikan persamaan Landau-Lifshitz-Gibert (LLG) untuk 20 kali keadaan magnetisasi yang berbeda. Bahan nanodot beranisotropi tegak lurus dengan ukuran 50?50?20 nm3 dipilih sebagai sel memori magnetik di dalam magnetic random access memory (MRAM). Evaluasi pembentukan ?E didapati bahwa kenaikan konstanta anisotopi, Ku meningkatkan nilai ?E secara linier. Sedangkan kenaikan konstanta magnetisasi saturasi. 4?Ms justru menurunkan ?E secara akar kuadratik. Konfirmasi penurunan Hrev pada TAMR dilakukan untuk Tw  mendekati Tc = 373 K. Dari perbandingan TAMR dan Non TAMR, penurunan Hrev terkonfirmasi pada TAMR. Medan reversal dengan TAMR tercatat 150 Oe pada ?E = 34,5 kBT. Sedangkan Hrev pada Non-TAMR, 500% lebih besar. Zero field reversal probability yang merupakan probabilitas nano dot untuk termagnetisasi tanpa medan magnetik, teramati dipengaruhi oleh nilai ?E. Nilai probabilitas yang tinggi muncul di ?E yang rendah, kemudian menurun dan hilang pada ?E= 2348 kBT dan HK= 4 kOe. Sebagai perbandingan probabilitas reversal menunjukkan hubungan yang berbanding terbalik terhadap medan anisotropi, HK dan ?E. Pengamatan mikrograf terhadap ?E dengan zero field reversal probability, menunjukkan nukleasi domain yang acak kemudian mengalami reversal dalam durasi yang lebih lama. Kaitan zero field reversal probability ekuivalen dengan rendahnya Hrev. Sehingga zero field reversal probability dibuktikan berpengaruh terhadap rendahnya Hrev pada ?E yang kecil.

Kata kunci: mikromagnetik, energi barrier, MRAM, TAMR, medan reversal,