Sifat listrik dan optik silikon berpori telah menarik perhatian para peneliti untuk diaplikasikan dalam piranti elektronik. Salah satu contohnya sebagai fotoanoda dalam dye-sensitized solar cell. Fabrikasi pori pada Si (100) tipe-p dengan variasi resistivitas (0,001-0,005) ?.cm dan (1-10) ?.cm telah berhasil dilakukan dengan metode anodisasi elektrokimia. Karakterisasi AFM memperlihatkan morfologi permukaan Porous Silicon (PSi) dan dapat menentukan kedalaman serta ukuran pori. Sementara itu, karakterisasi FTIR mengidentifikasi ikatan kimia pada PSi. Kedalaman dan ukuran pori pada resistivitas rendah lebih kecil dibandingkan dengan resistivitas tinggi. Hal ini menunjukkan doping dalam silikon mempengaruhi struktur dari PSi. Dari FTIR untuk semua PSi diperoleh ikatan SiH, SiH2, dan SiCH3 untuk resistivitas rendah sementara itu pada resistivitas tinggi SiCH3 tidak muncul. Absorbansi PSi meningkat dengan meningkatnya kedalaman pori.