Telah dilakukan penelitian tentang Iradiasi foton gamma (y) pada sampel wafer silikon ekstrinsik tipe-n dengan sumber iradiasi radiosotop Cesium-137 sebesar 0,645 Curie tenaga 0,662 MeV dan laju iradiasi 0,222 R/jam per Curie tiap meter (m). Penelitian dilakukan dengan variasi dosis iradiasi foton gamma. Dilakukan uji resistivitas dan konduktivitas dengan FPP 5000 Veeco serta karakterisasi struktur kristal dengan XRD Shimadzu 6000. Iradiasi foton gamma menyebabkan kenaikan resistivitas dan penurunan konduktivitas serta perubahan tipe konduksi menjadi tipe-p. Perubahan resistivitas dan konduktivitas disebabkan oleh sistem atom yang kekurangan elektron pada pita valensi akibat hamburan compton dengan energi foton serap sebesar 0,478 MeV dan energi kinetik elektron sebesar 0,184 MeV, sehingga terdapat perubahan pembawa muatan akibatnya tipe konduksi berubah menjadi tipe-p. Karakterisasi sampel dengan XRD tidak menunjukkan adanya perubahan dalam struktur kristal akibat iradiasi foton gamma. Hasil penelitian menyatakan bahwa iradiasi foton gamma 0,645 Curie dengan tenaga 0,662 MeV dan dosis iradiasi 0,222 R/jam per Curie tiap meter (m) aman untuk bahan silikon.