Telah dilakukan pembuatan sambungan P-N dengan teknik implantasi ion dan dopan boron pada silikon tipe N. Tujuan utama dari penelitian ini adalah dapat membuat sambungan P-N dan karakterisasi sifat kelistrikan bahan yaitu resistiviatas bahan yang dapat diukur. Kondisi operasi mesin implantasi ion pada saat pembuatan sambungan adalah pada energi tetap 40 keV serta variasi dosis yaitu pada dosis (4,5 x10^15 dan 2,7 x 10^16) ion/cm^2. Dalam eksperimen ini cuplikan dianil pada suhu 800°C selama 30 menit.

Dari hasil pengukuran dapat teramati bahwa terjadi penurunan resistivitas keping pada sambungan P-N yang dibuat yaitu dari 0,359 x 10^3 ohm/luasan menjadi 0,209 x 10^3 ohm/luasan pada dosis 4,5 x 10^15 ion/cm^2, sedangkan pada dosis 2,7 x 10^16 ion/cm^2 resistivitas bahan menurun dari 0,370 x 10^3 ohm/luasan menjadi 0,262 x 10^3 ohm/luasan. Hal ini karena besar energi ion dopan saat proses implantasi menentukan kedalaman sambungan, dosis ion menentukan konsentrasi ion dopan dan suhu anil mempengaruhi mobilitas hanyut. Sedang kedalaman sambungan, konsentrasi ion dopan dan mobilitas hanyut menentukan besar resistivitas keping.