Eksploarasi sifat elektronik grafena divakansi terdoping N/S dan interaksinya dengan ion K+ dan Na+ telah berhasil dilakukan dengan metode DFTB. Penelitian ini  bertujuan untuk mengetahui sifat elektronik dari grafena divakansi dan grafena divakansi terdoping nitrogen dan sulfur dan hubungannya  dengan perubahan Density of State (DOS), pergeseran level Fermi, dan struktur pita elektronik dan pengaruh adanya doping nitrogen dan sulfur terhadap interaksi grafena divakansi dengan ion K+ dan Na+.  Unit sel  4 × 4 × 1 digunakan sebagai basis, sedangkan super sel diulang hingga 40 × 40 × 1 digunakan untuk pengambilan sampel. Data yang dianalisis meliputi perubahan DOS, pergeseran level Fermi, dan struktur pita elektronik dari setiap orientasi grafena. Berdasarkan hasil penelitian, diketahui dengan adanya doping nitrogen dan sulfur dapat mengubah sifat elektronik pada grafena divakansi yang ditandai dengan pergeseran intensitas DOS dan struktur pita (band structure) elektronik di sekitar level Fermi dan pembukaan pada struktur pita, level Fermi menjadi lebih kuat dan interaksi grafena divakansi menjadi sebesar -1,464 eV pada Na-grafena divakansi, -0,964 eV pada K-grafena divakansi, -2,895 eV pada NaNS- grafena dan -2,231 eV pada KNS-grafena.