Penelitian ini menganalisis karakteristik kelistrikan plasma corona discharge dan mengaplikasikannya pada pemindaian tiga variasi material, yaitu lempeng tembaga sebagai baseline, wafer silikon murni tipe-P, dan photovoltaic monokristalin komersial. Pemindaian dilakukan menggunakan mesin CNC yang diintegrasikan dengan probe berbasis plasma 20 kV pada parameter optimal tegangan masukan 4,100 V, arus masukan 2,500 A, dan jarak probe 2 mm dengan cakupan area 9×9 mm. Jarak probe 2 mm dipilih karena menghasilkan plasma berwarna ungu sebagai indikator ionisasi molekul nitrogen (N₂) yang efektif dan stabil pada tekanan atmosfer, berbeda dengan jarak 1 mm yang menghasilkan plasma putih akibat ionisasi terlalu intensif, serta jarak 3 mm yang menghasilkan plasma oranye akibat ionisasi tidak efisien. Data luaran plasma diolah menggunakan Microsoft Excel dan OriginLab untuk menghasilkan peta kontur distribusi spasial tegangan, arus, dan impedansi sistem plasma. Perlu ditegaskan bahwa impedansi yang diukur merupakan impedansi sistem discharge plasma, yaitu rasio tegangan luaran terhadap arus luaran plasma (R = Vplasma / Iplasma) di setiap titik koordinat pemindaian, dan bukan resistansi atau resistivitas bulk material yang diuji. Tembaga menghasilkan tegangan tertinggi dengan rata-rata 0,619 kV, arus terendah dengan rata-rata 23,046 mA, dan impedansi sistem plasma tertinggi dengan rata-rata 26,989 kΩ, konsisten dengan prinsip negative differential resistance (NDR) pada sistem discharge plasma. Wafer silikon menunjukkan distribusi paling heterogen dengan rentang arus terlebar sebesar 28,000 mA dan impedansi menengah dengan rata-rata 9,210 kΩ, dikaitkan dengan ketidakseragaman distribusi dopan boron dan lapisan oksida alami SiO₂ pada permukaannya. Photovoltaic memiliki impedansi sistem plasma paling rendah dengan rata-rata 7,913 kΩ dan distribusi paling seragam, yang dikaitkan dengan sifat dielektrik lapisan silicon nitride (SiN) berkonstanta dielektrik tinggi (7–8) sebagai antireflective coating hasil proses PECVD. Urutan impedansi sistem plasma dari rendah ke tinggi adalah photovoltaic < wafer silikon < tembaga. Penelitian ini memvalidasi bahwa metode pemindaian berbasis plasma corona discharge mampu membedakan karakteristik kelistrikan permukaan antarmaterial secara konsisten dan terukur, dengan sensitivitas deteksi perubahan permukaan yang lebih tinggi dibandingkan metode four point probe konvensional.