Telah dilakukan pengukuran celah energi Eg pada bahan semikonduktor organik spirulina sp yang ditumbuhkan di atas subtrat PCB dengan spin coating. Pengukuran energi gap berdasarkan karakterikstik I-V pada suhu 276 K-298 K dengan metode pengukuran four-point probe yang sudah dimodifikasi. Hal tersebut bertujuan untuk mengetahui pengaruh kecepatan putar deposisi terhadap gap energi suatu bahan semikonduktor organik. Diperoleh hasil bahwa energi gap Eg meningkat dengan bertambahnya kecepatan putar dan kemudian menunjukkan tren konstan pada Eg = 1,41 eV untuk nilai ω≥ 4.000 rpm. Perubahan Eg ini disinyalir akibat perubahan struktur lapisan tipis yang terbentuk. Ketika kecepatan putar ω masih rendah, lapisan tipis kontinu terbentuk. Sedangkan, struktur lapisan tipis berubah menjadi diskrit dengan kenaikan kecepatan putar deposisi.